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Low Pressure Diffusion/Oxidation System

M5111-4WK/UM型扩散炉是是集成电路、微电子、晶体硅太阳能电池、电力电子等行业的关键电子专用设备,主要用于在硅片表面掺杂、氧化、合金、退火等半导体制程工艺,其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。
没有此类产品
Details
Parameters
Characteristics

Used for diffusion, oxidation process and annealing, alloy process, main characteristic and advanteges:

Specially high square resistance technology, 110Ω/□,nonuniformity is less than 4%, suitable for high efficiency cell research and production.

High efficiency and reliability, independently modular automatic load/unload system.

Low pressure diffusion process

Capacity: 800-1000 wafers/tube

Corresponding parameter set not found, please add it in property template of background
1.产能
硅片尺寸:125mm×125mm、 156mm×156mm硅片;
产量:400片/批(单面工艺);
工艺类型:液态磷源扩散工艺;
2.温度控制系统
炉膛有效内径:Ф350mm(石英管外径Ф330mm);
温度控制范围:400~1100℃;
恒温区长度及精度:≤±0.5℃/1080mm(801~1100℃),≤±1℃/1080mm(400~800℃);
单点温度稳定性:≤±0.5℃/4h(900℃时);
液态源温控制精度:20℃±0.5℃;
炉体升降温速率:最大升温速率:25℃/分钟,最大降温速率:5℃/分钟;
温度控制方式:五段双回路温度串级控制;
3.气路系统
流量控制方式:大氮、小氮、氧气流量由质量流量计控制,保护气体由浮子流量计控制;
工艺气体流量控制精度:±0.5%FS;
4.送料机构
自动上下料机构:
龙门机构速率:50mm/min~5000mm/min(连续可调);
二级水平机构速率:20mm/min~2000mm/min(连续可调);
定位精度:≤±1mm;
缓存位:2个;
软着陆送舟机构:
水平进舟速率50mm/min~800mm/min(连续可调);
定位精度:≤±1mm;
垂直升降速率:8mm/min~12mm/min;
SiC桨承载区最大承载重量:15Kg;
5.控制系统
自动温控功能:具有自动斜率升降温及恒温功能;
报警保护功能:具有超温、断偶、短路、气体流量偏差等报警和保护功能;
工艺控制方式:工艺过程由工控计算机全自动控制,直接在触摸屏上操作;
可存储100条以上的工艺曲线,每条工艺曲线不少于30个拐点;
6.其他技术参数
净化工作台净化级别:1000级(环境10000级);
炉口环境隔离方式:洁净气帘;
设备峰值功率:≤200KVA(4管),保温功率约100KVA(4管);

1.工艺性能

      该系列扩散炉在光伏电池生产线上已大面积成功应用近500管,工艺性能稳定可靠,工艺均匀性好;

2.温度控制

      采用自主研发、设计、制造的超大口径、超长温区高温炉体;控温精度达0.1℃级别的五段双回路温度控制系统;

3.压力监控系统

      国内率先将压力参数引入晶体硅太阳能电池扩散/氧化工艺,有效减小了尾部排风对工艺的干扰,减小由排风引起的工艺波动;

4.自动上下料系统

      提高设备自动化,降低人工劳动强度,减少人工污染;

5.软着陆送片机构

      采用高洁净无油水平传送机构,大负荷、高稳定平稳升降机构;SiC悬臂桨在工艺时不再停留在反应室,缩短了工艺回温时间,实现SiC桨免清洗,延长了SiC悬臂桨的使用寿命;

6.高温密封炉门

      柔性密封技术性能更加良好,同时隔热性能优异,减少尾气泄漏,缩短工艺回温时间。

暂未实现,敬请期待
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